此项技术由于其独特而突出的优点，已经在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。
在完成离子注入之后，接下来就是清楚残余光刻胶的步骤了。
此刻，单晶硅内部的一部分硅原子已经被替换了，这些被替换的就可以产生自由的电子和空穴，到这个步骤其实也已经差不多了。
最后就算绝缘层的处理，利用复杂的技术完成绝缘层，然后用光刻技术在绝缘层上开孔，以方便已导出电极。
然后在利用沉淀铜层，在溅射法的帮助下，在硅片的表面形成铜层的布置，在用光刻技术进行全方位的雕刻，形成一个个有用的原件。
这一个步骤会出现数以百亿的集体管，然后在把这些晶体管连接起来，经过反反复复的工序和加工组，最终连通电路网络。
然后每一层完成cmp磨平之后，在开始cu立体化布线，开发出大马士革新的布线方式，镀上阻挡金属层之后，整体溅镀cu摸，在利用cmp将布线之外的cu阻挡，完成布线。
这就是芯片的全过程，可谓是无比的困难，其工艺结晶是人类几百年来全部的智慧，一片指甲盖大小的芯片，其制造难道比核武器还要困难，实在是对精度的要求太高了。
完成芯片之后就是晶圆测试。
经过上面的几道工艺之后，晶圆上会形成一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
由于每个芯片的拥有的晶粒数量是非常庞大的，完成一次针测试是一个非常复杂的过程，这要求在生产的时候尽量是同等芯片规格的大批量生产，毕竟数量越大相对成本就会越低。
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